主题：超宽禁带半导体的研究与展望
主讲人：顾书林 南京大学 教授
时间：2026年1月20日14:00
地点：科南809
主办单位：物理与信息工程学院
主讲内容：
金刚石和氧化镓是超宽禁带半导体的典型代表和未来功率器件的最优选材料，其功率性能参数和高频性能参数达到目前主流应用的碳化硅和氮化镓等宽禁带半导体的十倍到数十倍。但目前金刚石和氧化镓等超宽禁带半导体在材料制备、掺杂调控等方面还存在重大的科学问题与技术障碍，严重制约了超宽禁带半导体的功率电子器件的研制与产业化应用。本报告将聚焦目前制约超宽禁带半导体发展的核心科学问题与技术困难，致力于突破超宽禁带金半导体的材料生长与掺杂的技术难点，提出实现高质量超宽禁带半导体的外延生长与掺杂可能的解决方案与技术路线，为未来超宽禁带半导体的高温、高功率和高频器件的应用与发展奠定基础。
欢迎广大师生前来参加！
