柯少颖

物理与信息工程学院   

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个人简介

硕士生导师：新一代电子信息技术和光学工程，福建省高层次人才，硅基半导体光电芯片研发创新平台负责人，本课题组有教授2名，副教授3名，在读研究生21名，目前本人指导研究生11名；主要从事光电子学与微电子学研究（半导体光电子材料与器件），主要研究方向：硅基光电子材料、近红外探测器、单光子探测器、半导体材料键合；目前主持4项企业关键技术研发(项目金额500万)、1项国家自然科学基金、1项福建省自然科学基金、1项漳州市自然科学基金等项目；以第一作者或通讯作者在国际知名期刊(Applied Physics Letters、Optics Express、IEEE Transactions on Electron Devices等)发表论文50余篇，其中SCI论文40余篇，EI论文6篇；授权发明专利9项，实审发明专利10项；已完成两个微电子超净实验室建设，实验室占地面积约250平，集成百级、千级、万级洁净区域，拥有光刻、刻蚀、薄膜沉积等多项集成电路制造关键工艺；近3年内指导本科生毕业论文10余次被评为优秀毕业论文，指导本科生发表SCI论文2篇、EI论文8篇、核心期刊2篇；获得第十四届福建省自然科学优秀学术论文三等奖、闽南师范大学2020年度青年五四奖章，2023年获批福建省一流本科课程。

研究方向

半导体材料外延与键合、二维材料、光电子芯片、红外探测芯片、红外激光芯片、单光子探测芯片、图像传感器、激光雷达、量子通信、太阳能电池等

社会兼职

中国电子学会会员

研究成果

主持课题：

企业关键技术开发项目（500万）：

锗硅微光CMOS图像传感显示模块雏形研发（2022.1-2024.7）

国家自然科学基金（30万）：

全键合长波长InGaAs/Si单光子雪崩探测器基础研究（2021.1-2023.12）

虚拟仿真实验室建设资金（35.8万）

集成电路制造工艺虚拟仿真实验设计与开发（2021.9-2023.9）

创新平台运行经费（30万）：

硅基光电芯片研发创新平台（2022 -2024）

福建省自然科学基金（7万）：

Si基GeSn短波红外全光谱PIN光电探测器基础研究（2021.1-2023.12）

漳州市自然科学基金（2万）：

InGaAs/Si异族键合基础研究（2020.01.01-2022.12.31）

企业关键技术开发项目（20万）：

半导体光电芯片工艺开发与芯片加工（2022.10-2025.10）

企业关键技术开发项目（4.7万）：

单晶二维材料制备与转移技术开发（2022.11-2023.11）

企业关键技术开发项目（3.7万）：

原子层沉积工艺技术开发（2022.11-2023.11）

代表论文：

1. 通讯作者，Applied Surface Science (2024): 159837.

2. 通讯作者，Applied Surface Science (2024): 159707.

3. 通讯作者，Vacuum (2024): 113103.

4. 通讯作者，RSC advances 14.9 (2024): 6058-6063.

5. 通讯作者，Journal of Physics D: Applied Physics 57.16 (2024): 165103.

6. 通讯作者，Journal of Alloys and Compounds 965 (2023): 171485.

7. 通讯作者，Vacuum 214 (2023): 112203.

8. 通讯作者，ACS Applied Energy Materials 5.7 (2022): 8709-8716.

9. 第一作者，Vacuum, 2022, 203: 111269.

10. 第一作者，IEEE Transactions on Electron Devices, 2022, 69: 1123.

11. 通讯作者，Applied Surface Science, 2021, 568: 150979.

12. 通讯作者，Vacuum, 2021, 196: 110735.

13. 通讯作者，et al. Semiconductor Science and Technology, 2021, 36: 095005.

14. 第一作者，IEEE Transactions on Electron Devices, 2021, 68(4): 1694.

15. 第一作者，Journal of Physics D: Applied Physics, 2020, 53(32): 323001

16. 第一作者，Journal of Physics D: Applied Physics, 2020, 53(16): 165109.

17. 第一作者，Semiconductor Science and Technology, 2020, 35(3): 035012.

18. 第一作者，Vacuum, 2020, 172: 109047.

19. 第一作者，IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 66(3): 1353.    

20. 第一作者，Journal of Materials Science, 2019, 54(3): 2406.

21. 第一作者，Applied Surface Science, 2018, 434: 433.                                              

22. 第一作者，Applied Physics Letters, 2018, 112(4): 041601.

23. 第一作者，Journal of Physics D-Applied Physics, 2018, 51(26): 265306.        

24. 第一作者，Journal of Physics D-Applied Physics, 2017, 50(5): 055106.

25. 第一作者，Journal of Physics D-Applied Physics, 2017, 50(40): 405305.

26. 第一作者，IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 64(6): 2556.    

27. 第一作者，Optics Express, 2016, 24(3): 1943.          

发明专利：

1. 利用非晶锗薄膜实现低温Si‑Si键合的方法

2. 弱键合强度脆性键合样品截面透射电子显微镜制备方法

3. 一种无界面气泡绝缘层上锗键合方法

4. 一种耐高温高质量SOI基剥离Ge薄膜的制备方法

5. 一种无气泡无穿透位错Ge/Si异质混合集成方法

6. 一种超高质量SOI基键合Ge薄膜的制备方法

7. 一种提高剥离Si基和SOI基Ge薄膜质量的方法

8. 一种实现晶格阻断的零气泡Ge/Si异质混合集成方法

9. 一种无气泡坑超高质量SOI基Ge薄膜异质键合方法