柯少颖

		柯少颖博士、教授、研究生导师，校发展规划处副处长(挂职)、学院党委委员、院长助理、闽江学者青年学者、福建省青年五四奖章获得者、福建省C类人才、龙江计划拔尖人才、国家一流本科课程负责人、福建省一流本科课程负责人、微电子科学与工程专业负责人、院教工第二支部书记
		物理与信息工程学院
		联系电话	19500138159
		电子邮箱	syke@mnnu.edu.cn
		办公地点	科技楼北906
通讯地址	漳州市芗城区闽南师范大学物理与信息工程学院，363000
个人简介	研究方向：硅基光电子材料与红外探测器、雪崩光电探测器、半导体材料键合；主持国家自然科学基金面上和青年项目、福建省杰青项目、福建省重大教改项目、福建省自然科学基金面上项目(2项)、漳州市自然科学基金项目、横向项目9项，横纵向累计经费494万元，转化产品销售额约2680万；带头建设并获批福建省高校重点实验室，组建高水平研究团队(教授4人、副教授3人、在读研究生30人)，已指导研究生21名；以第一作者或通讯作者在Advanced Functional Materials、Laser & Photonics Reviews、Nano Letters等知名期刊发表SCI论文70余篇，其中SCI一区25篇、SCI二区26篇、中国卓越期刊论文8篇，授权发明专利12项；2025年以来获学术会议邀请报告11次，并担任学术委员3次；毕业的研究生有10余人考取厦门大学、中科院苏州纳米所等顶尖单位的博士研究生，其余毕业生也多就职于国内半导体龙头企业，成为技术骨干。
研究方向	集成电路、光电子材料与芯片、红外探测芯片、雪崩光电探测芯片、异质外延生长、二维材料与器件、异质晶圆键合、光电芯片研制
社会兼职	建行漳州分行“智库”专家、中国电子学会会员
研究成果	主持的纵向项目： 1.硅基异质集成红外探测器件 \| 福建省杰青项目 \| 40万 \| 2026.05-2029.05 2.硅基半导体异质结构光电探测器研究 \| 闽江学者青年学者 \| 100万 \| 2025.02-2028.02 3.Si基InP赝衬底匹配外延GeSn机理及GeSn中波红外线阵探测器研究 \| 国家自然科学基金面上项目 \| 54万 \| 2026.01-2029.12 4.全键合长波长InGaAs/Si单光子雪崩探测器基础研究 \| 国家自然科学基金青年项目 \| 24万 \| 2021.01-2023.12 5.面向“四新”战略急需的微电子全链条工程技术人才培养模式创新与实践 \| 福建省重大教改项目 \| 20万 \| 2025.09-2028.09 6.InP-O-I基高Sn组分GeSn薄膜外延生长及其中红外探测性能研究 \| 福建省自然科学基金面上项目 \| 10万 \| 2024.11-2027.11 7.Si基GeSn短波红外全光谱PIN光电探测器基础研究 \| 福建省自然科学基金面上项目 \| 7万 \| 2020.11-2023.11 8.InGaAs/Si异族键合基础研究 \| 漳州市自然科学基金(市级) \| 2万 \| 2020.01-2022.12 主持的横向项目： 1.XXX微光CMOS图像传感雏形研发 \| 100万 \| 2021.12-2023.12 2.XXX新材料光电子器件研发 \| 50万 \| 2026.05-2030.05 3.单晶XXX制备及其光电器件开发 \| 20万 \| 2024.07-2027.07 4.硅基分子束外延XXX工艺技术开发 \| 20万 \| 2024.04-2025.04 5.半导体XXX芯片工艺开发与芯片加工 \| 20万 \| 2023.10-2025.10 6.原子层沉积工艺技术开发 \| 3.7万 \| 2023.07-2023.12 7.单晶二维材料制备与转移技术开发 \| 4.7万 \| 2022.11-2023.12 代表论文： 1.Polarization‐Encoded Transmission Enabled by PtSe2/Si PIN Photodetectors with Circular Groove Light‐Trapping Architecture \| Advanced Functional Materials \| 2025 2.In Situ Selenized Back‐to‐Back WSe2/W/Ge Dual Schottky Heterojunction for Broadband High‐Speed Polarization‐Encoded Communication \| Laser & Photonics Reviews \| 2025 3.On-Chip Polarimetric Photodetector with High Polarization Extinction Ratio and Extended SWIR Response Using PdSe2 InGaAs/InP Vertical P‑I‑N Heterostructure \| Nano Letters \| 2026 4.High-Speed Broadband PtSe2/Si 2D-3D Pin Photodetector with a Lightly n-Doped Si Interlayer Based on Single-Oriented PtSe2 \| ACS Photonics \| 2024 5.Negative Photoconductivity Engineering in High-Sn GeSn/InP Heterostructures Enabling Record-Breaking Photoresponse for Short Wave Infrared Detection \| Journal of Lightwave Technology \| 2026 6.Microcrystalline Ge interlayer-bonded InGaAs/Si avalanche photodiode with ultrahigh responsivity of 135 A W and gain of 190 \| Optics Express \| 2026 7.In Situ Selenization Engineered Dual Schottky Heterojunctions: A Novel Architecture for High‐Speed Broadband Photonic Communication Detector Arrays \| Small \| 2025 8.In Situ Selenization-Enabled PdSe2 Homojunctions for Ultrahigh Polarization Sensitivity and Rapid Broadband Photodetection \| Advanced Optical Materials \| 2025 9.In Situ Selenization-Engineered PtSe2/PdSe2 Heterostructures for Short-Wave Infrared Polarization-Sensitive Photodetection and Information Transmission \| Advanced Optical Materials \| 2026 10.Quantum-Confined 0D/2D/3D Heterostructure Photodetectors with an Ultrafast Self-Powered Broadband Response for Short-Wave Infrared Imaging \| ACS Applied Materials & Interfaces \| 2025 11.Stable Self-Powered Broadband PtSe2/Si Pin Infrared Photodetector Based on a High-Quality Ultrapure Intrinsic Si Film Exfoliated by Si/SOI Wafer Bonding \| ACS Applied Materials & Interfaces \| 2025 12.Selenization Mechanism of Nearly 4 in. Single-Oriented PtSe2 and PtSe2/n–-Si/n+-Si 2D–3D PIN Wide-Spectrum Polarization Detectors \| ACS Applied Materials & Interfaces \| 2025 13.High-Speed Self-Powered PdSe2/Si 2D-3D PIN-like Photodetector with Broadband Response Based on PdSe2 Quantum Island Structure \| ACS Applied Materials & Interfaces \| 2024 14.High-speed low-noise InGaAs/InP PIN photodetectors on a Si platform achieved by oxygen plasma activation bonding \| Optics Letters \| 2025 15.High-Gain Ge/Si Avalanche Photodetector With Stable Operation Temperature Up to 500 K \| IEEE Electron Device Letters \| 2025 16.Fabrication of a high-performance Ge/Si PIN photodetector utilizing Ge/Si hetero-bonding with a microcrystalline Ge interlayer \| Optics Express \| 2024 17.Magnetron sputtering growth and growth mechanism of GeSn films with Sn content exceeding 25% on InP substrates \| Applied Surface Science \| 2025 18.InGaAs/Si Avalanche Photodiode With High Gain and Low Dark Current Achieved by Two-Step Wafer Bonding \| IEEE Transactions on Electron Devices \| 2025 19.Growth of single-crystalline GeSn films with high-Sn content on InP substrates by sputtering and rapid thermal annealing \| Applied Surface Science \| 2024 20.Microstructure and room temperature ferromagnetism of double-layered MnxGe1−xTe polycrystalline modified by the space-layer thickness \| Applied Surface Science \| 2024 21.Bonding mechanisms and electrical properties of Ge/Si and Si/Si bonded wafers achieved by thin microcrystalline Ge interlayer \| Journal of Alloys and Compounds \| 2023 授权发明专利： 1.利用磁控溅射和双温区管式炉实现PdSe2量子点生长的方法 \| 中国 \| ZL 202310111168.9 \| 2025.12.5 \| 2.一种利用微晶锗薄膜实现低温Si-Ge和Si-InP 键合的方法 \| 中国 \| ZL 202211165174.4 \| 2025.3.8 \| 3.半导体晶片表面键合加工用等离子体真空热压键合机 \| 中国 \| ZL 202210709880.4 \| 2025.11.14 \| 4.一种实现晶格阻断的零气泡Ge/Si异质混合集成方法 \| 中国 \| ZL 201910940185.7 \| 2022.6.14 \| 5.一种无气泡坑超高质量SOI基Ge薄膜异质键合方法 \| 中国 \| ZL 201910942951.3 \| 2022.4.1 \| 6.一种无气泡无穿透位错Ge/Si异质混合集成方法 \| 中国 \| ZL 201910944976.7 \| 2022.5.3 \| 7.一种耐高温高质量SOI基剥离Ge薄膜的制备方法 \| 中国 \| ZL 201910938320.4 \| 2021.9.10 \| 8.一种提高剥离Si基和SOI基Ge薄膜质量的方法 \| 中国 \| ZL 201910939228.X \| 2022.3.8 \| 9.一种超高质量SOI基键合Ge薄膜的制备方法 \| 中国 \| ZL 201910941003.8 \| 2022.5.3 \| 10.弱键合强度脆性键合样品截面透射电子显微镜制备方法 \| 中国 \| ZL 201810347004.5 \| 2020.5.29 \| 11.利用非晶锗薄膜实现低温Si-Si键合的方法 \| 中国 \| ZL 201710118093.1 \| 2019.4.12 \| 12.一种无界面气泡绝缘层上锗键合方法 \| 中国 \| ZL 201810347003.0 \| 2021.6.11 \|