应我院邀约，4月3日上午，华中科技大学武汉光电国家研究中心的吴锋副研究员为我院师生开展主题为“半导体深紫外发光与红外探测器件研究”的学术讲座。讲座于科北907进行，由光电子材料与器件集成实验室负责人柯少颖副教授主持。
吴峰副研究员首先进行了相关背景知识介绍，介绍了AlGaN基深紫外发光器件和范德华异质结红外探测器。在AlGaN基深紫外发光器件方面，着重介绍了如何提高光提取效率，包括器件设计原理和光电效率的提高等。在范德华异质结红外探测器方面，着重介绍了三种探测器：单边耗尽区探测器，遂穿型红外探测器，室温灵敏红外探测器，从器件结构，制备工艺，器件主要性能参数为我院师生进行了详细的讲解，让在场的师生都受益匪浅。
讲座现场吴峰副研究员还介绍了他所在的课题组的研究现状。柯少颖副教授也详细地介绍了光电子材料与器件集成实验室的主要研究方向。讲座期间，围绕吴峰副研究员团队开展的红外探测器和深紫外探测器进行了深入的讨论，并对共同感兴趣的问题进行研讨，取得预期效果。
专家简介：
吴峰，华中科技大学武汉光电国家研究中心副研究员。2017年6月在华中科技大学武汉光电国家研究中心获得光学工程博士学位，之后在中国科学院上海技术物理研究所从事博士后研究工作。2020年9月入职武汉光电国家研究中心。主要从事宽禁带氮化物半导体材料的外延生长、深紫外发光器件的制备以及新型二维层状材料和光电器件的研究，在Nature Communications、Advanced Functional Materials等期刊上发表论文50余篇，授权专利3项。近年来主持科技部重点研发计划项目子课题，军科委173基金项目子课题，国家自然科学基金面上项目、青年项目和上海市自然科学基金项目等，作为课题骨干参与多项国家重点研发项目。
