高性能集群实验室
实验室简介：
本实验室集群设备上可以安装和运行的软件如VASP、Abinit, Pwscf, WIEN2K等第一性原理计算软件以及各种量子化学计算软件，可以很好的开展第一性原理计算方面的研究，该实验室的研究工作包括光伏电池材料、器件的理论模拟和实验研究、Li离子电池材料各种性质的计算，能够在太阳电池方面开展理论模拟和实验有机结合的研究工作；主要研究的太阳电池类型有：半导体薄膜太阳电池(SnS, Cu2ZnSnS4, 氮化物薄膜等), 晶体硅太阳电池, 纳米结构太阳电池（主要有纳米线，量子点，2D薄膜太阳电池）等。使用高性能集群进行时域有限差分法和有限元方法计算，以认识和分析金属/介质纳米结构与光相互作用过程的线性和非线性的物理机理。 在集群上运行第一性原理模拟软件abinit, 模拟计算光伏材料和结构的性能，如电子结构，光学性质等。熟练使用AMPS等太阳电池器件模拟软件模拟各种半导体薄膜太阳电池。熟悉半导体薄膜太阳电池的实验制备工艺，半导体和太阳电池的实验检测手段。本实验室具有曙光计算机集群,目前有6个节点,每个节点16核,共96核心，采用Intel E7-4 CPU，采用Centos版的linux操作系统,使用PBS(Portable Batch System)作业调度系统，集群具有MPI多核并行环境，设备总费用56万元。
科研项目：
1. 硫化亚锡多晶薄膜太阳电池与纳米结构太阳电池的模拟与设计，福建省教育厅资助省属高校JK项目 (项目编号：JK2017033), 起止年月: 2017.10-2020.10, 经费5万元
2. ZnO及其合金纳米晶体第一性原理研究、福建省教育厅中青年教师科研项目(项目编号：JA13206),1万、起止年月: 2013年08月-2016年10月
3. 纳米硅氧化硅体系的发光及光电导研究，福建省中青年教师教育科研A类项目（项目编号：JA14196），起止年月: 2014.09-2015.08，经费1万元
4. SnS基纳米结构太阳电池模拟研究，福建省教育厅中青年教师科研项目（项目编号：JAT160303），起止年月: 2014.05-2019.05，经费1万元
5. 高性能Fe基锂离子电池第一性原理研究，福建省教育厅中青年教师科研项目(拟立项)，起止年月:2018年6月-2021年6月，经费1万元
6. 纵向堆叠二维材料的线性/非线性研究，闽南师范大学闽南师范大学新世纪优秀人才支持计划（项目编号：MX1601），起止年月:2017.01-2018.12，经费1万元
7. SnS半导体光伏电池的基础研究，校科研启动项目（经费编号：2002L21332），起止年月: 2016.8-2019.8，经费5万元
学术论文：
1.Shuo Lin, Xirong Li. Huaqing Pan, Huanting Chen, Xiuyan Li, Yan Li, Jinrong Zhou. Numerical analysis of InxGa1-xN/SnS and AlxGa1-xN/SnS heterojunction solar cells. Energy Conversion and Management, 2016, 119C: 361-367. (SCI一区，IF=5.6)
2. Jing-Dong Chen, Jin Xiang, Shuai Jiang, Qiao-Feng Dai, Shan-Long Tie and Sheng Lan. Radiation of the high-order plasmonic modes of large gold nanospheres excited by surface plasmon polaritons[J]. Nanoscale, 2018, 10: 9153-9163. (SCI 1, IF=7.36)
3. Shuo Lin, Xirong Li. Huaqing Pan, Huanting Chen, Xiuyan Li, Yan Li, Jinrong Zhou. Numerical analysis of SnS homojunction solar cell, Superlattices and Microstructures, 2016, 91: 375-382. (SCI三区，IF=2.1)
4. Shuo Lin, Shengwei Zeng, Xiaomei Cai, Jiangyong Zhang, Shaoxiong Wu, Li Sun, Baoping Zhang. Simulation of doping levels and deep levels in InGaN-based single-junction solar cell. Journal of Materials Science, 2012, 47(11): 4595-4603. (SCI二区，IF=3.0)
4. Shuo Lin, Baoping Zhang, Shengwei Zeng, Xiaomei Cai, Jiangyong Zhang, Shaoxiong Wu, Ankai Ling, Guoen Weng. Preparation and properties of Ni/InGaN/GaN Schottky barrier photovoltaic cells, Solid-State Electronics, 2011, 63(1): 105-109. (SCI三区，IF=1.9)
5. Jing-Dong Chen, Yu-Hong Fang, Ting Zhang. High-Precision Two-Dimensional Atom Localization in a Cascade-Type Atomic System [J]. Chinese Physics Letters, 2014, 31(10): 104201(1-4). (SCI 4, IF=0.80)
6. 林硕, 沈晓明, 张保平, 李福宾, 李建功,孟祥海. InGaN单结太阳电池中的浅能级杂质的理论计算和模拟. 科学通报, 2010, 55(15): 1446-1452. (A类中文核心)
7. 林传金，朱梓忠。ZnO中氧空位缺陷形成能的第一性原理研究，厦门大学学报（自然科学版）2017，56，4：486-491
8. 陈景东, 张婷, 方玉宏. 非桥氧空穴发光中心对铁钝化多孔硅光致发光的影响[J]. 发光学报, 2014,35(12): 1427-1431.
9. 陈景东, 张婷, 汪庆祥. 水热腐蚀时间对铁钝化多孔硅表面形貌和光致发光的影响[J]. 光学学报, 2014, 34(9): 09160035(1-5).
10. 陈景东, 张婷. 铁钝化多孔硅的制备及光致发光机理研究[J]. 发光学报, 2014, 35(02): 184-189.
