柯少颖老师申报的“Si基InP赝衬底匹配外延GeSn机理及GeSn中波红外线阵探测器研究”获得国家自然科学基金面上项目的资助。项目编号：62574103，起止时间：2026.01-2029.12，经费54万元。
本项目创新提出“赝衬底剥离+晶格匹配外延”的异质集成策略，探索InP/Si异质键合机制与缺陷传播规律，揭示表面活化对化学键重构的影响机制，阐明键合界面晶格阻断层对位错与翘曲的抑制作用，实现高质量Si基InP赝衬底制备；其次，揭示GeSn/InP外延生长动力学与相分离热力学耦合机制，探究偏角InP赝衬底原子台阶对外延成核位点的调控作用，阐明应变弛豫与Sn偏析耦合效应，获得高质量高Sn组分GeSn薄膜；最后，探索Ⅱ型能带对齐结构中载流子双向输运屏障机理，阐明窄带隙器件暗电流与光谱权衡关系，研制出1×128低暗电流、宽光谱PIN型GeSn中波红外线阵探测器，为中红外芯片自主可控提供核心技术支撑。
